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LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极,并能满足可接触材料之间较为小的压降及提供焊线的压垫,同时尽可能的多地出光。

渡膜工艺一般用真空蒸镀方法,4Pa高真空下,用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化,并在低气压下BZX79C18变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。

一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金,N面的接触金属常采用AuGeNi合金。

镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来,使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。

光刻工序结束后还要通过合金化过程,合金化通常是在H2或N2的保护下进行。

合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。

当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂,需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。



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视频作者:马鞍山杰生半导体有限公司






LED芯片组成及发光

LED晶片的组成:主要有申(AS)铝(AL)家(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成。

LED晶片的分类:

1、按发光亮度分:

A、一般亮度:R、H、G、Y、E等

B、高亮度:VG、VY、SR等

C、超高亮度:UG、UY、UR、UYS、URF、UE等

D、不可见光(红外线):R、SIR、VIR、HIR

E、红外线接收管:PT

F、光电管:PD

2、按组成元素分:

A、二元晶片(磷、家):H、G等

B、三元晶片(磷、家、申):SR、HR、UR等

C、四元晶片(磷、铝、家、铟):SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG



LED电子显示屏在生活中的应用越来越广,对于大屏显示的技术也各有提高,目前,液晶显示凭其出色的显示效果被十分看好,但是在大屏显示中的拼接技术还没有达到无缝的水平,而LED小间距成功弥补了这一缺点,成功兴起。在液晶大屏无缝拼接技术成熟的时期,LED电子显示屏一跃而起,强占大屏显示市场。  LED电子显示屏技术问题解决

  首先是高光效:对于led电子显示屏的光效可以说是节能效果重要指标,目前我国在光效效果上还有待加强,要真正要做到高光效,要从产业链各个环节上解决相关的技术问题,那么如何实现高光效呢?本文将具体争对外延、芯片,封装,灯具等几个环节要解决的技术问题探讨。

  1.提高内效率和外效率。

  2.提高封装出光效率及降低结温。

  3.提高灯具的取光效率。

  其次是从高显色性来看:led电子显示屏光色质量很多,包括色温、显色性、光色保真度、光色自然度、色调识别度、视觉舒适度等。这里我们目前只讨论解决色温和显色性问题。制作高显色性led显示屏光源,会损失较多的光效,所以在设计时要照顾这两方面因素。当然要提高高显色性还必须考虑RGB三基色组合来实现。这边我也其三种方法:

  1.多基色荧光粉。

  2.RGB多芯片组合。

  3.荧光粉加芯片。