一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，LED芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。

比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。

在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。

这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。

另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。

如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。

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视频作者：马鞍山杰生半导体有限公司

外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。

其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极(P极，N极)，接着就开始用激光机切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用钻石刀)，制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试：

1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。

2、晶圆切割成芯片后，100%的目检(VI/VC)，操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。

3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。

4、蕞后对LED芯片进行检查(VC)和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上蕞多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。

LED电子显示屏在生活中的应用越来越广，对于大屏显示的技术也各有提高，目前，液晶显示凭其出色的显示效果被十分看好，但是在大屏显示中的拼接技术还没有达到无缝的水平，而LED小间距成功弥补了这一缺点，成功兴起。在液晶大屏无缝拼接技术成熟的时期，LED电子显示屏一跃而起，强占大屏显示市场。　　LED电子显示屏技术问题解决

　　首先是高光效：对于led电子显示屏的光效可以说是节能效果重要指标，目前我国在光效效果上还有待加强，要真正要做到高光效，要从产业链各个环节上解决相关的技术问题，那么如何实现高光效呢？本文将具体争对外延、芯片，封装，灯具等几个环节要解决的技术问题探讨。

　　1.提高内效率和外效率。

　　2.提高封装出光效率及降低结温。

　　3.提高灯具的取光效率。

　　其次是从高显色性来看：led电子显示屏光色质量很多，包括色温、显色性、光色保真度、光色自然度、色调识别度、视觉舒适度等。这里我们目前只讨论解决色温和显色性问题。制作高显色性led显示屏光源，会损失较多的光效，所以在设计时要照顾这两方面因素。当然要提高高显色性还必须考虑RGB三基色组合来实现。这边我也其三种方法：

　　1.多基色荧光粉。

　　2.RGB多芯片组合。

　　3.荧光粉加芯片。